惠陽(yáng)區(qū)舊變壓器回收電話

　　額外電壓伏數(shù)。分別標(biāo)明初級(jí)線圈的端電壓和次級(jí)線圈的端電壓(不接負(fù)載時(shí))值。留意三相變壓器的端電壓指線電壓U線值。額外電流安培數(shù)。指在額外容量和允許溫升條件下，初級(jí)線圈和次級(jí)線圈允許長(zhǎng)時(shí)刻經(jīng)過(guò)的線電流I線值電壓比。指初級(jí)線圈額外電壓與次級(jí)線圈額外電壓之比。接線方法。單相變壓器凹凸壓各一組線圈，只供應(yīng)單相運(yùn)用，三相變壓器則有Y/△式。除以上技能數(shù)據(jù)外，還有變壓器的額外頻率、相數(shù)、溫升、變壓器的阻抗百分比等。

　　變壓器回收:油式變壓器系列、干式變壓器系列、各種變壓器收購(gòu)、配電柜、電纜線、各種變壓器設(shè)施收購(gòu)！中央空調(diào)回收:日立、三菱、開(kāi)利、大金、格力、美的、東元、松田、奧克斯、麥克威爾、約克、水冷螺桿式、風(fēng)冷螺桿式、水冷離心式、水冷活塞式、立式水冷機(jī)，溴化鋰制冷機(jī)、冷水機(jī)組、各種中央空調(diào)及制冷設(shè)備收購(gòu)！

　　惠陽(yáng)區(qū)舊變壓器回收電話

　　箱變?cè)O(shè)有隔熱層，具有良好的隔熱作用。開(kāi)關(guān)設(shè)備采用雙層門(mén)結(jié)構(gòu)，防護(hù)等級(jí)達(dá)到國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。隱藏在箱變內(nèi)的風(fēng)機(jī)可以自動(dòng)對(duì)地坑基礎(chǔ)內(nèi)進(jìn)行排風(fēng)和送風(fēng)來(lái)降低溫度。地埋變的防水處理地埋式箱變的地下式組合變壓器雖然允許浸沒(méi)在水中運(yùn)行，但為了地下式變壓器的長(zhǎng)期運(yùn)行，地坑基礎(chǔ)內(nèi)的防水及排水進(jìn)行周全的考慮和設(shè)計(jì)。對(duì)于地下水位較低(低于地坑基礎(chǔ)底部)的地區(qū)，采用預(yù)制式地坑結(jié)構(gòu)，地坑頂部通風(fēng)孔具備有效的通風(fēng)和防雨能力，地坑基礎(chǔ)底部鋪設(shè)走水砂卵石，水可以直接滲入地下，對(duì)于地下水位較高(高于地坑基礎(chǔ)底部)的地區(qū)，采用預(yù)制全封閉混凝土地坑結(jié)構(gòu)，地表水流入及地下水滲入地坑內(nèi)。

　　惠陽(yáng)區(qū)舊變壓器回收電話

　　露天落地安裝的配電變壓器技術(shù)要求:落地式變壓器的基礎(chǔ)應(yīng)高出地面0.2m，如在積水地區(qū)，變壓器周圍應(yīng)設(shè)在排水溝道；變壓器四周設(shè)置磚石圍墻，其圍墻高度不低于1.8m，圍墻的門(mén)應(yīng)采用耐火材料制成，且設(shè)計(jì)在變壓器低壓側(cè)一方，門(mén)應(yīng)向外開(kāi)，并在門(mén)上裝鎖。不宜采用竹、木圍欄。變壓器采用臺(tái)（墩）式安裝，其臺(tái)（墩）高度不應(yīng)低于2.5m。室外裝設(shè)兩臺(tái)以上變壓器，其外殼相隔的距離不應(yīng)小于1.25m。變壓器外殼應(yīng)妥善地。壓器距可燃性建筑物的距離不應(yīng)小于5m，距耐火建筑物的距離不應(yīng)小于3m。在圍墻或臺(tái)（墩）上，懸掛“止步，高壓危險(xiǎn)”的警告牌。室內(nèi)安裝的配電變壓器的技術(shù)要求:室內(nèi)應(yīng)有良好的自然通風(fēng)。變壓器室的耐火等級(jí)應(yīng)為一級(jí)。壓器外廓距后墻壁、側(cè)墻壁凈距不應(yīng)小于0.6m，距門(mén)凈距不應(yīng)小于0.8m；變壓器室的門(mén)窗均應(yīng)向外開(kāi)，且門(mén)窗的下方應(yīng)有百葉窗。變壓器的概述變壓器的基本型式，包括兩組繞有導(dǎo)線的線圈，并且彼此以電感方式稱合一起。當(dāng)一交流電流(具有某一已知頻率)流于其中之一組線圈時(shí)，于另一組線圈中將感應(yīng)出具有相同頻率的交流電壓，而感應(yīng)的電壓大小取決于兩線圈耦合及磁交鏈的程度。一般指連接交流電源的線圈稱之為“一次線圈”;而跨于此線圈的電壓稱之為“一次電壓”。在二次線圈的感應(yīng)電壓可能大于或小于一次電壓，是由一次線圈與二次線圈間的“匝數(shù)比”所決定的。因此，變壓器區(qū)分為升壓與降壓變壓器兩種。大部份的變壓器均有固定的鐵心，其上繞有一次與二次的線圈?；阼F材的高導(dǎo)磁性，大部份磁通量限在鐵心里，因此，兩組線圈藉此可以獲得相當(dāng)高程度的磁耦合。