1，igbt屬于什么控制型器件 igbt屬于電壓控制型器件――電壓控制電流。

2，igbt屬于什么控制型器件igbt的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是 igbt屬于電壓控制型器件――電壓控制電流。MOS管與BJT復(fù)合。

3，電磁爐中的IGBTH20R1202和H15R1203的區(qū)別是什么 電流不一樣！ 一個(gè)是20A。一個(gè)是15A

4，IGBT是電壓型還是電流型器件GTR呢 igbt 電壓型gtr 電流 沒看懂什么意思？

5，igbt是什么了 IGBT在電磁爐里是高頻振蕩管，它是和渦流線圈共同作用產(chǎn)生震動(dòng)磁場，使食物分子相互間摩擦從而產(chǎn)生熱量使食物加熱熟~！IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文縮寫。可以翻譯做絕緣柵雙極晶體管。IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。IGBT基本結(jié)構(gòu)見圖1中的縱剖面圖及等效電路。 IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個(gè)部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件。基片的應(yīng)用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié)。 IGBT是一種功率晶體，運(yùn)用此種晶體設(shè)計(jì)之UPS可有效提升產(chǎn)品效能，使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點(diǎn)。