1，電磁爐里面的IGBT是哪一個(gè)怎么測(cè)是好壞謝謝 在主板散熱片上有一個(gè)三腳和一個(gè)四腳的元件，那個(gè)三腳的就是IGBT，就相當(dāng)于一個(gè)高頻的大功率開(kāi)關(guān)三極管！麻煩采納，謝謝!

2，美的電磁爐IGBT管熱敏電阻安裝在哪里 美的電磁爐IGBT管熱敏電阻很多不同于一般電磁爐，緊貼于管子的下面焊接在電路板上，而是單獨(dú)一根傳感線（線頭內(nèi)是負(fù)熱敏電阻）通過(guò)螺絲固定在鋁制散熱板上或直接與IGBT管固定。

3，電磁爐igbt哪里有賣 直接去你電磁爐的售后買(mǎi)吧 或者干脆換個(gè)新的 因?yàn)镮GBT是芯片 壞了還不如買(mǎi)個(gè)新的 還有 電磁爐不用買(mǎi)太貴的 例如蘇泊爾的電磁爐 他們里邊都是一樣的 只有面板不同 面板也不分什么好壞 都是玻璃的 壹萬(wàn)店上面 應(yīng)該有吧，上次看到過(guò)

4，電磁爐igbt是什么 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

5，電磁爐里面的IGBT是什么哪里有賣的 絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡(jiǎn)稱IGBT，是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵(lì)場(chǎng)控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件?！　∧壳坝杏貌煌牧霞肮に囍谱鞯腎GBT， 但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET輸入跟隨一個(gè)雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)?！　GBT有三個(gè)電極(見(jiàn)上圖)， 分別稱為柵極G(也叫控制極或門(mén)極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發(fā)射極E(也稱源極) ?！　腎GBT的下述特點(diǎn)中可看出， 它克服了功率MOSFET的一個(gè)致命缺陷， 就是于高壓大電流工作時(shí)， 導(dǎo)通電阻大， 器件發(fā)熱嚴(yán)重， 輸出效率下降?！　GBT的特點(diǎn):　　1.電流密度大， 是MOSFET的數(shù)十倍。　　2.輸入阻抗高， 柵驅(qū)動(dòng)功率極小， 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單?！　?.低導(dǎo)通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo下， 其導(dǎo)通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%?！　?.擊穿電壓高， 安全工作區(qū)大， 在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會(huì)受損壞。　　5.開(kāi)關(guān)速度快， 關(guān)斷時(shí)間短，耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級(jí)的約0.2us， 約為GTR的10%，接近于功率MOSFET， 開(kāi)關(guān)頻率直達(dá)100KHz， 開(kāi)關(guān)損耗僅為GTR的30%?！　GBT將場(chǎng)控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體， 是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件?！　∫话汶娮釉暧校?0元左右　　IGBT是檢測(cè)：　　用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量IGBT的“E”；“C”；“G”三極間是否擊穿?！　：“E”極與“G”極；“C”極與“G”極，正反測(cè)試均不導(dǎo)通(正常)?！　：萬(wàn)用表紅筆接”E“極，黑筆接“C”極有0.4V左右的電壓降（型號(hào)為GT40T101三極全不通）。 直接去你電磁爐的售后買(mǎi)吧 或者干脆換個(gè)新的 因?yàn)閕gbt是芯片 壞了還不如買(mǎi)個(gè)新的 還有 電磁爐不用買(mǎi)太貴的 例如蘇泊爾的電磁爐 他們里邊都是一樣的 只有面板不同 面板也不分什么好壞 都是玻璃的